86-13826519287‬
  • image of FET、MOSFET 阵列>NXH004P120M3F2PTNG
  • image of FET、MOSFET 阵列>NXH004P120M3F2PTNG
  • image of FET、MOSFET 阵列>NXH004P120M3F2PTNG
产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
NXH004P120M3F2PTNG
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
-
托盘
0
价格:
$242.2080
总数

数量

价格

总价

1

$258.5880

$258.5880

20

$242.2080

$4,844.1600

40

$233.1000

$9,324.0000

获取报价信息
产品详情
image of FET、MOSFET 阵列>NXH004P120M3F2PTNG
image of FET、MOSFET 阵列>NXH004P120M3F2PTNG
NXH004P120M3F2PTNG
产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
NXH004P120M3F2PTNG
FET、MOSFET 阵列
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE
FET、MOSFET 阵列
托盘
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱Module
安装类型Chassis Mount
配置2 N-Channel (Half Bridge)
工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)
技术Silicon Carbide (SiC)
功率 - 最大1.1kW (Tj)
漏源电压 (Vdss)1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C338A (Tj)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds16410pF @ 800V
Rds On(最大)@Id、Vgs5.5mOhm @ 200A, 18V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs876nC @ 20V
Vgs(th)(最大值)@Id4.4V @ 120mA
供应商设备包36-PIM (56.7x62.8)
captcha

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
86-13826519287‬

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
0