86-13826519287‬
  • image of 单 FET、MOSFET>IRL40T209ATMA2
  • image of 单 FET、MOSFET>IRL40T209ATMA2
产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
IRL40T209ATMA2
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH <= 40V
-
卷带式 (TR)
0
价格:
$1.6440
总数

数量

价格

总价

2000

$1.6440

$3,288.0000

6000

$1.5840

$9,504.0000

获取报价信息
产品详情
image of 单 FET、MOSFET>IRL40T209ATMA2
IRL40T209ATMA2
产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
IRL40T209ATMA2
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH <= 40V
单 FET、MOSFET
卷带式 (TR)
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C300A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs0.72mOhm @ 100A, 10V
功耗(最大)500W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id2.4V @ 250µA
供应商设备包PG-HSOF-8-1
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs269 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds16000 pF @ 20 V
captcha

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
86-13826519287‬

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
0