86-13826519287‬
  • image of 单 FET、MOSFET>IPTC026N12NM6ATMA1
  • image of 单 FET、MOSFET>IPTC026N12NM6ATMA1
产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
IPTC026N12NM6ATMA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
卷带式 (TR)
0
价格:
$4.1160
总数

数量

价格

总价

1

$7.2600

$7.2600

10

$6.5520

$65.5200

25

$6.2520

$156.3000

100

$5.4240

$542.4000

250

$5.1840

$1,296.0000

500

$4.7280

$2,364.0000

1800

$4.1160

$7,408.8000

获取报价信息
产品详情
image of 单 FET、MOSFET>IPTC026N12NM6ATMA1
IPTC026N12NM6ATMA1
产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
IPTC026N12NM6ATMA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
单 FET、MOSFET
卷带式 (TR)
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列OptiMOS™ 6
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱16-PowerSOP Module
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C26A (Ta), 222A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs2.6mOhm @ 115A, 10V
功耗(最大)3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.6V @ 169µA
供应商设备包PG-HDSOP-16-2
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)8V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)120 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs88 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds6500 pF @ 60 V
captcha

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
86-13826519287‬

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
0