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产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
IPP076N15N5XKSA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
管子
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产品详情
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IPP076N15N5XKSA1
产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
IPP076N15N5XKSA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
单 FET、MOSFET
管子
1
产品参数
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C112A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs7.6mOhm @ 56A, 10V
功耗(最大)214W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.6V @ 160µA
供应商设备包PG-TO220-3-1
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)8V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)150 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs61 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds4700 pF @ 75 V
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