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产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
IAUC120N04S6N008ATMA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
MOSFET_(20V 40V)
-
卷带式 (TR)
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$1.4760
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$1.4760

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产品详情
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IAUC120N04S6N008ATMA1
产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
IAUC120N04S6N008ATMA1
单 FET、MOSFET
IR (Infineon Technologies)
MOSFET_(20V 40V
单 FET、MOSFET
卷带式 (TR)
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商IR (Infineon Technologies)
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C43A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs0.8mOhm @ 60A, 10V
功耗(最大)150W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3V @ 90µA
供应商设备包PG-TDSON-8-43
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)7V, 10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)40 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs110 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds7150 pF @ 25 V
资质AEC-Q101
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