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产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
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EAPST2012A1
photo transistors
Everlight Electronics
LINEAR IC
-
卷带式 (TR)
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产品详情
image of photo transistors>EAPST2012A1
EAPST2012A1
产品名称
描述
制造商
产地/认证
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
EAPST2012A1
photo transistors
Everlight Electronics
LINEAR IC
photo transistors
卷带式 (TR)
-
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Everlight Electronics
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱0805 (2012 Metric)
波长940nm
安装类型Surface Mount
方向Top View
工作温度-25°C ~ 85°C
电流 - 深色 (Id)(最大)100 nA
集电极电流 (Ic)(最大)20 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)30 V
功率 - 最大75 mW
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