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产品名称：
描述：
制造商：
产地/认证：
封装：
包装：
数量：
RoHS 状态 ：
A5G21H605W19NR3
RF FET、MOSFET
NXP Semiconductors
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
-
卷带式 (TR)
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image of RF FET、MOSFET>A5G21H605W19NR3
A5G21H605W19NR3
产品名称：
描述：
制造商：
产地/认证：
封装：
包装：
数量：
RoHS 状态 ：
规格书：
A5G21H605W19NR3
RF FET、MOSFET
NXP Semiconductors
RF MOSFET LDMOS
RF FET、MOSFET
卷带式 (TR)
-
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商NXP Semiconductors
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱OM-780-4S4S
安装类型Surface Mount
频率2.11GHz ~ 2.2GHz
功率输出85W
获得15.1dB
技术GaN
供应商设备包OM-780-4S4S
额定电压125 V
电压 - 测试48 V
当前-测试300 mA
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